Startseite ProdukteIC-Chip der integrierten SchaltungOberflächen-Berg 8 der Mosfet-FDS8984 Reihen-IC elektrischen Komponenten-2 N Doppel-30V 7A 1.6W des Kanal-- SOIC
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Gute Qualität Programmierbarer IC-Chip en ventes
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Oberflächen-Berg 8 der Mosfet-FDS8984 Reihen-IC elektrischen Komponenten-2 N Doppel-30V 7A 1.6W des Kanal-- SOIC

China Oberflächen-Berg 8 der Mosfet-FDS8984 Reihen-IC elektrischen Komponenten-2 N Doppel-30V 7A 1.6W des Kanal-- SOIC fournisseur

Großes Bild :  Oberflächen-Berg 8 der Mosfet-FDS8984 Reihen-IC elektrischen Komponenten-2 N Doppel-30V 7A 1.6W des Kanal-- SOIC

Produktdetails:

Herkunftsort: China
Markenname: ON Semiconductor
Zertifizierung: ROHS
Modellnummer: FDS8984

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Oberflächen-Berg 8-SOIC des Mosfet-FDS8984 Reihen-2 N-Kanal-(Doppel) 30V 7A 1.6W

Fet-Art N-Kanal 2 (Doppel)
Fet-Eigenschaft Tor des logischen Zustandes
Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss) 30V
Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss (Identifikation) @ 25°C 7A
RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs 23mOhm @ 7A, 10V
Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation 2.5V @ 250µA
Versehen Sie Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs mit einem Gatter 13nC @ 10V
Geben Sie Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds ein 635pF @ 15V
Macht- maximales 1.6W
Betriebstemperatur -55°C | 150°C

 

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Kontaktdaten
Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.

Ansprechpartner: Zhu

Telefon: 86-13480630315

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