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Gute Qualität Programmierbarer IC-Chip en ventes
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—— Dave Evans - Sonoma-Mikro

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Oberflächenkanal 55V 17A 45W d PAK n der berg-hohen Leistung des Transistor-IRFR024NTRPBF

China Oberflächenkanal 55V 17A 45W d PAK n der berg-hohen Leistung des Transistor-IRFR024NTRPBF fournisseur

Großes Bild :  Oberflächenkanal 55V 17A 45W d PAK n der berg-hohen Leistung des Transistor-IRFR024NTRPBF

Produktdetails:

Herkunftsort: China
Markenname: IOR
Zertifizierung: ROHS
Modellnummer: IRFR024NTRPBF

Zahlung und Versand AGB:

Min Bestellmenge: 50 Stk.
Preis: negotiate
Verpackung Informationen: 2000Pcs/Reel
Lieferzeit: 2-3 Werktage
Zahlungsbedingungen: Western Union, T/T, Paypal
Versorgungsmaterial-Fähigkeit: 20KPCS
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Ausführliche Produkt-Beschreibung
Fet-Art: N-Kanal Betriebstemperatur: -55°C | 175°C
Feuchtigkeits-Empfindlichkeits-Niveau (MSL): 1 (unbegrenzt) Bleifreier Status/RoHS-Status: Bleifrei/RoHS konform

Oberflächen-Berg RoHS IRFR024NTRPBF D-PAK N-Kanal-55V 17A 45W konform

Eigenschaft
L ultra niedriger Auf-Widerstand
L Oberflächen-Berg (IRFR024N)
L gerade Führung (IRFU024N)
L moderne Verfahrenstechnik
L fasten Schaltung
L völlig Lawine veranschlagt
Fet-ArtN-Kanal 
TechnologieMOSFET (Metalloxid) 
Lassen Sie zur Quellspannung ab (Vdss)55V 
Gegenwärtig - ununterbrochener Abfluss (Identifikation) @ 25°C17A (Tc) 
Fahren Sie Spannung (maximales RDS an, Minute RDS an)10V 
RDS auf (maximal) @ Identifikation, Vgs75 mOhm @ 10A, 10V 
Vgs (Th) (maximal) @ Identifikation4V @ 250µA 
Versehen Sie Gebühr (Qg) (maximal) @ Vgs mit einem Gatter20nC @ 10V 
Vgs (maximal)±20V 
Input-Kapazitanz (Ciss) (maximal) @ Vds370pF @ 25V 
Fet-Eigenschaft- 
Verlustleistung (maximal)45W (Tc) 
Betriebstemperatur-55°C | 175°C (TJ) 
Montage-ArtOberflächenberg

 

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ADS774JPBB 88F6820-A0-BRT2C120MARVELL
3352E-1-103LFBOURNS 74F5074BPHILIPS

Kontaktdaten
Shenzhen Koben Electronics Co., Ltd.

Ansprechpartner: Zhu

Telefon: 86-13480630315

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